从相对简单的平板二极管技术开始，氟等离子等离子体刻蚀已经发展成为一种價值数百万美元的结合腔。它配有多频发生器、静电吸盘、外壁温控制器和专门为特定薄膜设计的各种过程控制传感器。 SiO2和SiN是SiO2和SiN。二者的化学键可以很高，一般需要CF4、C4F8等，产生高活性氟等离子体能被刻蚀。上述气体
